FinFET Chip Woes: Low Yield Delay Galaxy S8 ועוד

רוב מכשירי הדגל הקרובים לשנה צפויים לשלב ערכות שבבים המיוצרות בתהליך 10nm. סמסונג מוגדרת לצייד את גלקסי S8 ודגמי S8+ עם מעבדי Qualcomm Snapdragon 835 ו-Exynos 8895, שניהם בנויים בתהליך הייצור של 10nm. בעוד שסמסונג חושפת באופן מסורתי את מכשיר הדגל שלה מסדרת S ב-Mobile World Congress (MWC), ההשקה השנה נדחתה לסוף מרץ, כאשר המכשיר צפוי לצאת לשוק ב-21 באפריל. הסיבות המדווחות לעיכוב כוללות בדיקות ממושכות תקופות והאטות בתהליך ייצור המעבד.

ה-Xperia XZ Premium של סוני אמור להשתמש גם בערכת השבבים Snapdragon 835 ומיועד לצאת בסוף האביב. הסכם הבלעדיות בין סמסונג וקוואלקום למעבד Snapdragon 835 מציב אתגרים עבור יצרנים אחרים באבטחת ערכת השבבים. מצב זה הוביל את LG לבחור בערכת השבבים Snapdragon 821 במכשיר הדגל שלה G6. בנוסף, טלפונים חכמים המשתמשים במעבד Helio X30 של MediaTek, המיוצר על ידי TSMC, צפויים להתמודד עם עיכובים בהגעה לשוק, עם שחרורים צפויים לרבעון השני.

אמנם הדו"ח אינו מציין אם ההשקה של סמסונג גלקסי S8 תידחה, אך הוא מצביע על כך שהעיכובים בייצור של סמארטפונים עם ערכות שבבים של 10 ננומטר עלולים לגרום לעיכוב בתאריכי השחרור שלהם בהמשך השנה.

חקור את העולם המורכב של שבב FinFET ייצור כאשר תשואות נמוכות זורקות מפתח ברגים ללוח הזמנים של השחרור של מכשירים צפויים כמו ה-Galaxy S8. התעמקו באסטרטגיות המופעלות כדי להתגבר על הכשלים הללו ובהשפעות האדווה שעשויות להיות להם על הנוף הטכנולוגי.

מקור: 1 | 2

אל תהסס לשאול שאלות בנוגע לפוסט זה על ידי כתיבה בקטע התגובות למטה.